[发明专利]一种对消式去耦芯片有效
| 申请号： | 202010893375.0 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112164891B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 赵鲁豫;刘洋;王璟珂 | 申请（专利权）人： | 西安朗普达通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/52 | 分类号： | H01Q1/52;H01L27/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市沣东新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对消式去耦芯片，包括左右对称分布的双T型微带结构A、B，以及前后对称分布的山型去耦结构C、D；所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽，双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内；双T型微带结构A左侧向外有两个凸起端部，双T型微带结构B右侧向外有两个凸起端。所述对消式去耦芯片采用低温共烧陶瓷技术制成。本发明通过设计对称分布的双T型微带结构，在两端加入山型去耦结构，该芯片在一定的频带内产生去耦作用，用于多天线系统之间去耦，提高多天线系统之间的隔离度，且去耦结构本身不会影响天线的辐射方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对消 式去耦 芯片 | ||
【主权项】：
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