[发明专利]感测放大器电路结构有效
| 申请号： | 202010893671.0 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112071341B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈子航;张勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种感测放大器电路结构，包含MOS管M1～M9，电容C1～C2；所述M1的源极接电源Vdd,其栅极与漏极短接，且漏极接M3的漏极。M2的源极接电源Vdd，M2的栅极接M4的栅极，M2的漏极接M4的漏极；M3的栅极接M2的漏极，并在此形成第一节点RFC；M4的源极接地；M5的源极接电源Vdd，M5的漏极接M7的漏极；所述M6管的源极接电源Vdd，漏极接M8的漏极，M8的源极接地；所述M8的栅极接M7的源极，所述M7的栅极接M8的漏极，形成第二节点C；所述M5的漏极形成第三节点E；所述M9的源极接电源Vdd,M9的栅极与其漏极短接，且与第六MOS管的栅极相接，输出调整电流Ifix；所述第一电容C1跨接于电源Vdd与M1、M5的栅极之间；所述第二电容C2跨接于电源Vdd与M6、M9的栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 放大器 电路 结构 | ||
【主权项】：
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