[发明专利]氧化膜的工艺方法在审
| 申请号： | 202010894030.7 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112053948A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王宁;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化膜的工艺方法，对于刻蚀后氧化膜的形貌进行修正，在对半导体基板上的氧化膜刻蚀完成之后，对氧化膜进行离子注入和湿法腐蚀然后淀积一层修正氧化层，再对修正氧化层进行刻蚀。本发明通过一定角度和剂量的离子注入和湿法腐蚀可以有效改善氧化膜侧壁内凹的问题，再通过淀积修正氧化层及刻蚀的方法使内凹的氧化层侧壁，使其恢复垂直的形貌，离子注入,湿法腐蚀及修正氧化层的淀积及刻蚀均对氧化膜侧壁内凹的问题具有改善的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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