[发明专利]磁阻效应元件在审
| 申请号： | 202010894087.7 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111864055A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;尹明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体，该层叠体中按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，所述基底层由氮化物构成，所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成，所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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