[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法在审

专利信息
申请号: 202010894129.7 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN113094203A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 宋英杰;金成来;李起准 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 黄晓燕;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错电路和控制逻辑电路。纠错电路包括纠错码(ECC)解码器,纠错码(ECC)解码器用于对从存储器单元阵列的目标页读取的包括主数据和奇偶校验数据的码字执行ECC解码,以校正读取的码字中的错误。控制逻辑电路基于来自外部存储器控制器的命令和地址来控制纠错电路。ECC解码器具有t位纠错能力,使用奇偶校验矩阵基于码字生成校正子,在t‑2个循环期间执行t个迭代以基于校正子生成错误定位多项式,基于错误定位多项式搜索码字中的错误位置,并且基于搜索到的错误位置校正码字中的错误。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 操作 方法
【主权项】:
暂无信息
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