[发明专利]一种核壳结构AlGaN/GaN异质结纳米线基晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010895196.0 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111969056A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李述体;杨玉青;高芳亮;王幸福;刘青 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种核壳结构AlGaN/GaN异质结纳米线基晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明提供的核壳结构AlGaN/GaN异质结纳米线基晶体管中，GaN纳米线、AlN层和AlGaN层形成核壳结构的AlGaN/GaN异质结纳米线，该结构的AlGaN/GaN异质结纳米线能够形成包裹式源电极、漏电极和栅电极，从而使得整个核壳结构的内界面产生二维电子气，即在AlGaN/GaN异质结纳米线的任意侧面上均有二维电子气，与传统的HEMT电子器件相比(纳米线水平，且只有一个面有二维电子)，增大了器件的导电电流，有效地提高了HEMT电子器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 algan gan 异质结 纳米 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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