[发明专利]一种钽硅合金溅射靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202010895315.2 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112030120A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李岢 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;B22F5/00;C22C27/02 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钽硅合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括：(1)将钽粉和硅粉混合均匀；(2)装入模具并封口；(3)对封口后的模具在1130～1170℃下进行热压烧结处理，得到钽硅合金溅射靶材粗品；(4)经机加工得到钽硅合金溅射靶材。所述制备方法不仅可以制备得到纯度和致密度均满足要求的钽硅合金溅射靶材，且致密度达到99％以上，还可以降低能耗和成本，适合大规模推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
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