[发明专利]一种增强作用型克尔效应衬底在审
| 申请号： | 202010895768.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111983824A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/03;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强作用型克尔效应衬底，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞周期性排列，贵金属薄膜设置在孔洞的侧壁上。应用时，入射光倾斜照射磁性材料部，入射光耦合进入磁性材料部中的孔洞并被聚集在孔洞内，在孔洞内形成强电场，该强电场与磁性材料层产生作用，增强了克尔效应。由于本发明中，在磁性材料层内设置孔洞，增加了磁性材料层与光的作用距离，增强了衬底的克尔效应，在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 作用 克尔 效应 衬底 | ||
【主权项】：
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