[发明专利]一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法有效
| 申请号： | 202010895867.3 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111916469B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张家鑫;史衍丽;石慧;郭金萍;贾凯凯;王伟;刘璐;郭文姬;高炜;刘建林;徐文艾 | 申请（专利权）人： | 山西国惠光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01V8/10 |
| 代理公司： | 太原新航路知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14112 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 030006 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。本发明解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.将InGaAs光电二极管阵列和读出电路进行倒装互联；b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底；c.去除InGaAs刻蚀停止层；d.涂覆正光刻胶层；e.刻蚀形成上下贯通的第一窗口；f.湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口；g.去除剩余的正光刻胶层；h.沉积增透膜。本发明适用于双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 ingaas 红外 平面 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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