[发明专利]一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器在审
| 申请号： | 202010896102.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112185441A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 罗鑫;胡少坚;尚恩明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体的技术领域，公开了一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，自上而下包括钉扎层、势垒层和自由层，在所述钉扎层的顶面、自由层的底面分别设置有读操作电极，在所述自由层的左右两端均设置有写操作连接区域，所述写操作连接区域具有钉扎效应，用于存储器写操作时的电连接，所述自由层的磁畴壁左右两侧的磁畴方向相反，且位于左端的写操作连接区域与磁畴壁左侧的磁畴方向一致，位于右端的写操作连接区域与磁畴壁右侧的磁畴方向一致。整体结构简单，效率高，适应性强，极具应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁畴壁钉扎 自旋 转移 力矩 存储器 | ||
【主权项】：
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