[发明专利]一种片层状纳米羟基氧化钴及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 202010896973.3 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112551594B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 刘剑洪;黎烈武;扶勇欢;张黔玲;叶盛华 | 申请（专利权）人： | 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;H01M4/52;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘文求;朱阳波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种片层状纳米羟基氧化钴及其制备方法、应用，在油浴条件下，通过共沉淀法使六亚甲基四胺与六水合氯化钴发生反应生成氢氧化钴沉淀，将沉淀物洗涤、烘干；然后在氢氧化钠溶液中，利用过硫酸铵将氢氧化钴氧化，将沉淀物洗涤、烘干；研磨过筛即得。将制得的纳米羟基氧化钴制成锂离子电池负极，其首次库伦效率高达88％，先在不同的电流下充放电循环60次，然后在0.5C(1C＝890mA/g)的电流密度下再经过300次充放电循环后仍具有942mAh/g的放电比容量，该羟基氧化钴在锂离子电池负极材料方面具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 纳米 羟基 氧化钴 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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