[发明专利]集成电路和用于形成集成电路的方法在审
| 申请号： | 202010897164.4 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112599530A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 林孟汉;谢智仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路和用于形成集成电路的方法，集成电路装置包括具有记忆体区域和逻辑区域的半导体基板。在记忆体区域中的记忆体单元包括选择栅极，选择栅极经由浮动栅极间隔物与浮动栅极分隔。在与浮动栅极相对的选择栅极的一侧上形成选择栅极间隔物。选择栅极间隔物在大部分的选择栅极上方具有均匀的厚度。形成选择栅极间隔物的第一层可能经由氧化选择栅极电极。形成选择栅极间隔物的第二层可能经由原子层沉积。当间隔物形成在逻辑区域中相邻于逻辑栅极时，记忆体区域可能以保护层覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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