[发明专利]基于冷原子的相干电子束制备方法在审

专利信息
申请号: 202010897651.0 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112164974A 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 周庆红;徐艳霞;李晓红;刘涛 申请(专利权)人: 西南科技大学;周庆红
主分类号: H01S4/00 分类号: H01S4/00
代理公司: 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 代理人: 朱芳
地址: 621000 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 基于冷原子的相干电子束制备方法,通过获得温度为毫开量级、原子数大于108个的冷原子团,并将冷原子团中原子的最外层电子态制备到基态,通过下述方式制备所需的相干电子束:控制激发光子与电子相互作用,将电子激发到高能态,采用低噪声电场驱动引出电子,再经加速电磁场获得低温电子束输出。本发明使用基于冷原子宿主的电子制备技术,以及在电子制备过程中使用的光子、电场精密控制技术,与传统在高电压、高电流、高场强等条件下进行的电子制备技术相比,所获得电子的特性有很大差别。从电子产生的源头解决了传统电子束流制备技术中无法避免的电子束高温、高能散、低相干性的问题,能全面提升电子束流品质。
搜索关键词: 基于 原子 相干 电子束 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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