[发明专利]用于多巴胺释放的检测的微电极阵列芯片及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010900687.X 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN111982988B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 何恩慧;蔡新霞;徐声伟;徐世弘;高飞;李欣蓉;宋轶琳;张禹;肖桂花 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: G01N27/27 分类号: G01N27/27
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供一种微电极阵列芯片及制备方法,用于神经细胞多巴胺释放的检测,芯片包括:绝缘基底(1),其上形成有微电极阵列(2),其中,微电极阵列(2)包括的微电极被均分为至少一组,每组微电极设有与之对应的参比电极(3);微电极阵列(2)表面修饰有用于神经细胞多巴胺释放电化学信号检测的聚3,4‑乙撑二氧噻吩(PEDOT)和还原氧化石墨烯(rGO)组成的纳米复合材料(7);触点(5),其分布在绝缘基底(1)的四周,微电极阵列(2)及参比电极(3)均通过引线(4)连接至触点(5);其中,所有引线(4)表面均覆盖有绝缘层(6)。该芯片具有线性范围宽,灵敏度高,检测限低,检测速度快的优点,并且可以同步实时地检测多组神经细胞在不同实验条件下多巴胺神经递质的电化学信号。
搜索关键词: 用于 多巴胺 释放 检测 微电极 阵列 芯片 制备 方法
【主权项】:
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