[发明专利]晶圆贴膜方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010901147.3 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN114121597A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 穆正德 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆贴膜方法和半导体器件。所述晶圆贴膜方法包括：提供保护膜、隔离膜和晶圆，所述隔离膜具有与所述晶圆的形状一致的收容空间；将所述保护膜面向所述晶圆和所述隔离膜，所述晶圆置于所述隔离膜的收容空间内，所述保护膜包括面向所述晶圆的第一区段；对所述保护膜和所述晶圆进行压合；剥离所述隔离膜。在压合过程中，第一区段与晶圆结合，隔离膜限制了流胶的产生，去除隔离膜后，晶圆周围几乎不存在流胶，从而省去清理流胶的工序，有利于节约时间和人力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆贴膜 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
