[发明专利]半导体器件及方法在审
| 申请号： | 202010903157.0 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113053822A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨柏峰;杨世海;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及方法。一个实施例是一种半导体器件，包括：位于半导体衬底上方的第一沟道区域、位于第一沟道区域上方的第二沟道区域、位于半导体衬底上方并且围绕第一沟道区域和第二沟道区域的第一栅极堆叠、从第一沟道区域延伸到第二沟道区域并且沿着第一栅极堆叠的侧壁的第一内部间隔件、从第一沟道区域延伸到第二沟道区域并且沿着第一内部间隔件的侧壁的第二内部间隔件，第二内部间隔件具有与第一内部间隔件不同的材料成分，以及与第一沟道区域、第二沟道区域和第二内部间隔件相邻的第一源极/漏极区域，第一内部间隔件和第二内部间隔件位于第一栅极堆叠和第一源极/漏极区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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