[发明专利]重稀土掺杂ZnO柱状晶择优取向压电薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010904020.7 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN112038481B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李敬雨;杨兵;刘琰;张俊;李正刚;雷燕;郭嘉琳 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H10N30/85 | 分类号： | H10N30/85;H10N30/092;H10N30/093 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李欣荣 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明针对现有氧化锌薄膜的制备技术存在的不足，提供了一种重稀土掺杂ZnO柱状晶择优取向压电薄膜材料，综合利用多种强化技术和制备技术，有效提高氧化锌薄膜的质量和沉积速率：本发明将三元重稀土元素掺杂到氧化锌薄膜中，可有效细化ZnO材料的晶粒和提高其致密度，改善膜层的结晶性能，进而提高压电常数；此外，为克服射频磁控溅射技术附着力和沉积速度慢等缺点，利用高能脉冲电弧和靶中毒的优点，实现ZnO薄膜的快速沉积过程，制备出具有高表面质量以及结构稳定的三元重稀土掺杂ZnO纳米压电薄膜，并可实现薄膜介电性能、透明度等性能的可控调节，使其满足在不同压电领域器件上的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 掺杂 zno 柱状 择优取向 压电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010904020.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基金结转凭证生成方法及装置
- 下一篇：一种指标灵活配置方法和装置
