[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010904997.9 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN112018121B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 罗杰;赵祥辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括介质层，介质层上具有多个沟槽；在介质层上共形地形成第一材料层，第一材料层在对应沟槽内形成第一凹槽；形成覆盖第一凹槽底部的第二材料层；去除第一材料层的至少一部分以将对应第一凹槽顶部开口扩大形成第二凹槽；去除第二材料层以形成第三凹槽；以及形成填充多个第三凹槽的第三材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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