[发明专利]一种基于二维P/G/N异质结的光电探测器及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种基于二维P/G/N异质结的光电探测器，包括衬底以及设置在衬底上的源电极、漏电极、二维P型半导体薄片、二维N型半导体薄片和石墨烯薄片；所述二维P型半导体薄片与所述二维N型半导体薄片之间设置有石墨烯薄片，所述二维P型半导体薄片与所述二维N型半导体薄片之间通过所述石墨烯薄片电连接；所述二维P型半导体薄片远离所述石墨烯薄片的一端与所述源电极电连接，所述二维N型半导体薄片远离所述石墨烯薄片的一端与所述漏电极电连接。本发明基于二维P/G/N异质结的光电探测器有效地提高了宽波段光吸收效率。本发明还提供了基于二维P/G/N异质结的光电探测器的制备方法和应用。