[发明专利]光学准直器、半导体装置及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010905692.X 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN112687709A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 陈信宇;翁睿均;潘汉宗;张佑诚;黎俊朋;陈信桦;邱俊杰;刘彦江;许希丞;胡景翔;洪嘉骏;李佳烜;拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普;吴威鼎;蒋季宏 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G06K9/00;G02B27/30
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;闫华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法,该方法符合经济效益,制造用于接触式影像感测器的多功能准直器结构来过滤周围红外光,以减少噪声。在一实施例中,光学准直器包含介电层;基底;多个通孔;以及导电层,其中介电层形成于基底上方,其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列,其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面,且其中导电层形成于介电层的第一表面和多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方,且其中导电层被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
搜索关键词: 光学 准直器 半导体 装置 及其 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010905692.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top