[发明专利]一种提高超细金丝单根丝长度的方法及装置有效
申请号: | 202010909054.5 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112086365B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 康菲菲;裴洪营;周文艳;吴永瑾;孔建稳;俞建树 | 申请(专利权)人: | 贵研铂业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650000 云南省昆明市五华区高*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种提高超细金丝单根丝长度的方法,在99.99%以上的高纯金中添加1~2种质量含量为5~50ppm的碱土金属和1~2种2~20ppm的稀土金属;制备Φ8~12mm的铸锭,通过粗拉、中拉、细拉制备成Ф0.050mm细丝;从Ф0.050mm到Φ0.008mm~Φ0.015mm,采用分段式不同变形量的配模工艺,按从粗到细,每段变形量依次递减;在主动放线装置和拉丝系统中间增加退火装置,实现超细金丝在线热拉拔。针对Ф0.050mm以下的金丝,设计变形量自上而下逐级递减的配模工艺,采用在线热拉拔技术,配合不同润滑方式,使用特殊尺寸钻石拉丝模以提高目标线径为0.008mm~0.015mm超细金丝的单根丝长度。该方法突破了超细金丝高精度制备断线频繁的技术难题,加快了超细金丝的产业化进程,推动了微组装技术的发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 金丝 单根丝 长度 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵研铂业股份有限公司,未经贵研铂业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010909054.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造