[发明专利]GaN基超辐射发光二极管的外延结构及其应用在审
| 申请号： | 202010909794.9 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN111816737A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘建平;熊巍;胡磊;田爱琴;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基超辐射发光二极管的外延结构及其应用。所述GaN基超辐射发光二极管的外延结构包括沿所述外延结构厚度方向依次设置的第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、电子阻挡层和第二光学限制层，所述有源区包括至少一量子阱层和至少一量子垒层，所述有源区采用二维岛状生长的InGaN/GaN量子阱或者多个不同厚度的InGaN/GaN的量子阱作为有源区。本发明采用二维岛状生长的量子阱或不同宽度的量子阱作为超辐射发光二级管的有源区，使得超辐射发光二极管的量子阱具有更大发光光谱半宽，因此可以得到宽光谱的超辐射发光二级管。 | ||
| 搜索关键词： | gan 辐射 发光二极管 外延 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
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