[发明专利]一种高k栅介质材料及其制备方法和应用

摘要

本申请公开了一种高k栅介质材料及其制备方法和应用，所述高k栅介质材料包括硅衬底，衬底表面沉积有栅介质层；栅介质层中含有金属钕和铪。本申请通过在氧气氛围下共溅射钕和铪材料，实现一种高质量掺杂高k栅介质材料的制备。钕元素氧化物具有电荷陷阱少，氧空位密度低，缺陷密度低的有点，但是吸湿性严重；铪元素氧化物具有抗吸湿性，但相对缺陷较多，氧空位密度高，电荷陷阱多，通过以钕为主要占比，铪为次占比的掺杂，得到了一种高质量的钕‑铪氧氮化物栅介质材料，并在并五苯有机晶体管上取得了优异性能，拓展了高k栅介质材料的开发与应用前景。