[发明专利]一种微波辐照电子废弃物快速生产纳米碳化硅的方法在审
| 申请号： | 202010912704.1 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111960420A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 赵敏;王景伟;田震;陈钦;张西华;庄绪宁;白建峰;顾卫华;张承龙;李如燕 | 申请（专利权）人： | 上海第二工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 201209 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波辐照电子废弃物快速生产纳米碳化硅的方法。本发明将废硅料和废碳料初步破碎，使得平均粒径在0.1‑0.5mm之间；然后将破碎后的废硅料和废碳料按比例混合后进行球磨；再在球磨好的混合料内加入粘结剂，搅拌均匀，将混合料送入压丸机制丸；将压制好的球丸埋入填充有高碳助烧剂的耐高温烧结管道内进行微波烧结，结果表明，可在若干分钟内快速制备碳化硅，大幅减少了传统工艺生产碳化硅的烧结时间，简化了生产工艺，是一种潜在的、具有较高应用价值的节能环保型生产技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 辐照 电子 废弃物 快速 生产 纳米 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
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