[发明专利]具有非晶帽盖层的光刻掩模在审
| 申请号： | 202010913267.5 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113253562A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李信昌;许倍诚;钱志道;陈明威;连大成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 非晶帽 盖层 光刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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