[发明专利]半导体装置、非易失性存储器装置及存储装置在审
| 申请号： | 202010914039.X | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112466851A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 金泰孝;边大锡;金灿镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置、非易失性存储器装置及存储装置。该半导体装置包括半导体管芯、半导体集成电路、外部裂纹检测结构、多个内部裂纹检测结构和多个路径选择电路。半导体管芯包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域。半导体集成电路在中心区域的多个子区域中。外部裂纹检测结构在边缘区域中。所述多个内部裂纹检测结构分别在所述多个子区域中。路径选择电路被配置为控制外部裂纹检测结构与所述多个内部裂纹检测结构之间的电连接。通过外部裂纹检测结构和内部裂纹检测结构的选择性电连接，除了边缘区域中的裂纹之外，还可以有效地检测中心区域中的裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 非易失性存储器 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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