[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010915052.7 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112530861A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李城门;郭玟灿;申宪宗;郑涌植;卢永昌;李斗铉;郑圣宪;池祥源 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷到预定深度，来形成接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
