[发明专利]一种单层或少层石墨烯的超临界剥离工艺在审

专利信息
申请号: 202010915577.0 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN111908456A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 胡勇刚 申请(专利权)人: 胡勇刚
主分类号: C01B32/19 分类号: C01B32/19
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 510000 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种单层或少层石墨烯的超临界剥离工艺,公开了一种超临界剥离单层或少层石墨烯的装置,包括干燥釜和喷嘴。采用超临界CO2为剥离剂,表面活性剂为分散剂,石墨粉和分散剂置于干燥釜内,再通入CO2,在超临界的状态下循环流动,之后经由喷嘴快速降压至7MPa。不同层数的石墨烯具有不同的导电能力,通过电场作用,5层以下的石墨烯进入干燥釜收集腔内,5层以上的石墨烯从通路离开干燥釜。重复上述过程,使物料经历多次升压降压,制备得到单层或少层的石墨烯。本工艺属于物理过程剥离,处理条件温和,不会破坏石墨烯的结构;该方法使用的CO2无毒、便宜易得,工艺简单,成本低廉,因此,该方法是具有实际应用前景的规模化生产单层或少层石墨烯的绿色工艺。
搜索关键词: 一种 单层 石墨 临界 剥离 工艺
【主权项】:
暂无信息
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