[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010917290.1 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111916559A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 胡万景;王林;黄金德 | 申请（专利权）人： | 锐芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成凹槽；在所述凹槽内和所述衬底上形成若干层重叠的复合层，所述复合层包括电极层以及位于所述电极层上的第一介质层，位于上层的所述复合层暴露出位于下层的所述复合层的部分顶部表面。在所述衬底内形成凹槽，在所述凹槽内和所述衬底上形成若干层重叠的复合层，所述复合层包括电极层以及位于所述电极层上的第一介质层。通过所述凹槽来增大所述衬底的表面积，利用在所述凹槽内交叉堆叠形成所述电极层和所述第一介质层，有效的减小了由所述电极层和所述第一介质层所形成的电容器件占用衬底的表面积，提升最终形成的半导体结构的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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