[发明专利]碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010919307.7 申请日: 2020-09-04
公开(公告)号: CN112133775B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 闵嘉华;梁小燕;陈军;戴灵恩;冯成杰;张继军;王林军;沈悦 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L31/0336 分类号: H01L31/0336;H01L31/117;H01L31/18;G01T1/161;G01T1/24;G01T1/36
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法,本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率,是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起,由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区,SiPM作为载流子的倍增放大区,形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时,整个器件作为高灵敏探测器应用;当将单个或部分APD单元作为像素单元时,可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
搜索关键词: 碲锌镉 射线 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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