[发明专利]基于碳化硅衬底的垂直氮化铝PN结二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202010922623.X | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112038411B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 周弘;曾诗凡;王捷英;张进成;许晟瑞;刘志宏;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/20;H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于碳化硅衬底的垂直氮化铝PN结二极管，主要解决现有PN结二极管击穿电压低和额定功率低的问题。其自下而上包括阴极(1)、衬底(2)、n型外延层(3)、p型外延层(4)、阳极(5)，阳极的两侧与p型外延层上部的相交处设有钝化层(6)。其中，衬底采用n型高掺碳化硅，其掺杂浓度为10 |
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| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 衬底 垂直 氮化 pn 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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