[发明专利]半导体测试结构及半导体器件的失效分析方法有效
| 申请号： | 202010922804.2 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112018084B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李桂花 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/28;G01R31/307;G01R31/52 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体测试结构及半导体器件的失效分析方法，通过晶圆键合结构的顶部的测试焊盘和外接焊盘对至少位于所述晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的每个晶圆均进行电性测试，以检测出失效的晶圆；以及，对所述失效的晶圆进行失效分析，以定位出晶圆键合结构中的失效的晶圆中的失效点，使得至少能够测试出晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的晶圆是否失效以及测试出失效的晶圆中的失效点，进而使得能够快速且准确的定位多片晶圆键合的结构中的失效晶圆以及失效点，提高了失效分析的效率和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 半导体器件 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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