[发明专利]一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路

摘要

本发明公开了一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路，直流母线与第二SiC MOSFET管的漏极、第二钳位电容器的一端及第一回馈模块的一端相连接，第二SiC MOSFET管的源极与第二收集二极管的负极、负载端、第一收集二极管的正极及第一SiC MOSFET管的漏极相连接，第二收集二极管的正极及第二钳位电容器的另一端与第二回馈模块的一端相连接，第一收集二极管的负极与第一钳位电容器的一端及第一回馈模块的另一端相连接，低压源与第一SiC MOSFET管的源极、第二钳位电容器的另一端及第二回馈模块的另一端相连接，该电路能够有效抑制过电压，并且电路中的钳位电容可将能量通过电感支路回馈到直流侧，且只在过电压产生时参与电路过程。