[发明专利]一种研究铜箔初期电结晶的方法及电沉积系统在审
| 申请号： | 202010925866.9 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112301383A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘嘉斌;刘玲玲;孙玥;方攸同 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D21/12;C25D21/18 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 李学红 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种研究铜箔初期电结晶的方法，所述方法采用铜电沉积工艺，通过控制铜电沉积初期的电结晶过程，获得铜电沉积初期形成的铜箔沉积层，通过观察和分析该铜箔沉积层的微观结构，获得相关生长参数对连续工业生产中铜箔电沉积过程的影响及连续工业生产中制得的电沉积铜箔性能的影响，从而指导铜箔的连续工业生产。本发明可以控制铜箔初期电结晶工艺时间精确到1ms，还可通过控制添加剂分析其对电结晶的影响。且本发明的方法所用电解液成分、电流密度等参数与工业铜箔生产接近，使得获得的试验结果对于工业铜箔生产具有明确的相似性和重要的参考价值。本发明提供的方法及装置简单可靠，可适用于研究多种金属电沉积初期的晶粒生长情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研究 铜箔 初期 结晶 方法 沉积 系统 | ||
【主权项】：
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