[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 202010926432.0 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111987166B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体功率器件技术领域，提供了一种横向双扩散晶体管的制造方法，利用多次离子注入(斜向角度注入)在衬底上的注入区及注入区之间的交叠区形成第一掺杂类型的漂移区，该漂移区的掺杂浓度以该交叠区的中心沿沟道方向向两端呈梯度递减变化(线性变掺杂浓度)的分布，使形成器件以该漂移区的中心轴线呈左右对称的结构。既提高了器件的击穿电压，又保证了足够的杂质掺杂浓度，从而使器件有较小的导通电阻，改善了形成器件的性能，避免了现有技术中利用特制的具有特定窗口设计的掩膜版形成线性变掺杂漂移区，节约了制造成本，而且可通过工艺控制离子注入的次数和角度来控制该漂移区掺杂浓度的线性分布，以此提高了该制造方法的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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