[发明专利]一种基于电子缓冲器的深紫外发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010926596.3 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112164740B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 贺龙飞;吴华龙;张康;何晨光;刘云洲;赵维;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈旭红;吴落 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了基于电子缓冲器的深紫外发光二极管及其制作方法，所述深紫外发光二极管包括：衬底和在所述衬底上依次外延生长的缓冲层、n型半导体层、电子缓冲器、有源层、p型半导体层和接触层，其中，所述电子缓冲器为非掺杂B |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 电子 缓冲器 深紫 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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