[发明专利]半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置在审

专利信息
申请号: 202010927456.8 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN114154386A 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 洪世芳 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G06F30/27 分类号: G06F30/27;G06F30/398;G06F30/392;G06F30/394
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置。半导体制作工艺的良率预测方法包括以下步骤。建构半导体装置的一电路图网表的一电路路径与一集成电路版图的一对应关系。获得半导体装置于数个堆叠层的数个缺陷点。依据此些缺陷点,训练电路路径发生一故障的一识别模型。依据识别模型,识别一半导体半成品于各个堆叠层导致电路路径发生故障的一发生机率。依据发生机率,预测半导体半成品的良率。
搜索关键词: 半导体 制作 工艺 预测 方法 系统 模型 训练 装置
【主权项】:
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