[发明专利]一种覆铜陶瓷基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202010927682.6 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112164687A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王斌;贺贤汉;欧阳鹏;葛荘;孙泉;张恩荣 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种覆铜陶瓷基板，烧结前包括位于中间的陶瓷层、位于陶瓷层上下两面的焊料层、贴附在焊料层上的应力缓冲层以及贴附在应力缓冲层上的金属铜层。应力缓冲层为金属片，毛面朝向焊料层、光面朝向金属铜层。制备方法如下：1)将作为应力缓冲层的铜箔和作为金属铜层的铜片去除油污后，进行防氧化清洗；2)陶瓷层双面丝网印刷焊料层或双面贴敷活性金属焊片；3)在焊料层或活性金属焊片上贴敷铜箔，在铜箔上覆盖金属铜层；4)在待烧结件上下放置压头；5)依照AMB工艺进行真空活性钎焊烧结并提供分子扩散焊所需条件，温度控制在700℃‑940℃，真空度小于0.01，烧结时间60min‑540min，铜箔和金属铜层分子扩散焊后形成微孔区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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