[发明专利]一种光源、偏振及掩模联合优化方法及电子设备在审
申请号: | 202010928268.7 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN111965935A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 丁明;施伟杰 | 申请(专利权)人: | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司深圳分公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 罗芬梅 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路光刻技术领域,尤其涉及一种光源、偏振及掩模联合优化方法及电子设备。一种光源、偏振及掩模联合优化方法包括如下步骤:S1、输入掩模的设计版图;S2、在所述掩模的设计版图上设置多个误差监测点;S3、设定优化变量为x,所述优化变量x包括光源强度变量、偏振角度变量以及掩模变量;S4、基于Hopkins‑Abbe混合光刻成像模型关联误差监测点获得关于优化变量x的目标函数cost;及S5、优化目标函数cost直至其收敛,以获得优化后的掩模、光源及偏振,基于Hopkins‑Abbe混合光刻成像模型对光源强度变量、偏振角度变量以及掩模变量进行优化,使得能获得较好的工艺制造窗口。 | ||
搜索关键词: | 一种 光源 偏振 联合 优化 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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