[发明专利]半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 202010928400.4 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112071905B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 潘晓伟;张杰;胡舜涛;李豪 | 申请（专利权）人： | 上海陆芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管。所述半导体器件的终端结构包括：主结、场限环和截止环；所述场限环位于所述主结与所述截止环之间；漂移层，所述主结、所述场限环和所述截止环共用所述漂移层；其中，所述主结包括位于所述漂移层顶部的第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区位于所述第二扩散区远离所述场限环的一端，且所述第一扩散区的深度小于所述第二扩散区的深度；所述主结还包括至少一个第一沟槽，所述第一沟槽位于所述第一扩散区内；所述第一沟槽用于驱使所述主结内的部分电流路径为纵向流动。本发明可以在提高器件击穿电压的同时保证器件终端结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 终端 结构 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
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