[发明专利]一种外延生长方法有效
| 申请号： | 202010928647.6 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112017953B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张豪;郭海峰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供一种外延生长方法，包括以下步骤：提供半导体结构；在锗烷(GeH |
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| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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