[发明专利]具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 202010929206.8 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112054056B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋苓利;曾凡明;于洪宇 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法。其中具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；p型栅极层包括第一区域和第二区域，第一区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及栅极，第二区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及阴极，第二区域背离衬底一侧还设置有与p型栅极层直接接触的阳极；阳极与源极电连接，阴极与栅极电连接。本发明实施例的技术方案，有效提高器件栅极静电放电防护能力，优化器件的电学可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 静电 防护 结构 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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