[发明专利]一种功率半导体芯片的栅极驱动电路及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 202010929694.2 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN112072897B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 施其彪;佟雪丽;范涛;温煦辉 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/32
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 薛异荣
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种功率半导体芯片的栅极驱动电路及其驱动方法,驱动电路中的组合推挽单元包括:第一半导体三极管和第二半导体三极管;第一场效应晶体管和第二场效应晶体管;第三场效应晶体管和第四场效应晶体管;第三场效应晶体管的漏极和第四场效应晶体管的漏极为所述组合推挽单元的并联输出端;第一场效应晶体管和第一半导体三极管适于择一导通以控制第三场效应晶体管,第一场效应晶体管和第三场效应晶体管的开关状态一致,第二场效应晶体管和第二半导体三极管适于择一导通以控制第四场效应晶体管,第二场效应晶体管和第四场效应晶体管的开关状态一致。该驱动电路能够兼顾输入输出延迟小、驱动电流大、驱动电压范围大、通用性较高和成本低的综合性能。
搜索关键词: 一种 功率 半导体 芯片 栅极 驱动 电路 及其 方法
【主权项】:
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