[发明专利]一种高效功率半导体组合器件在审
| 申请号： | 202010929823.8 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111934662A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王一鸣;张波;魏万腾 | 申请（专利权）人： | 锦浪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H02M1/00 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张静汝 |
| 地址： | 315700 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高效功率半导体组合器件，包括MOS管、IGBT管和DIODE管，MOS管、IGBT管和DIODE管相互并联。MOS管的漏极、IGBT管的集电极和DIODE管的阴极相连，MOS管的源极、IGBT管的发射极和DIODE管的阳极相连。与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明将MOS管、IGBT管和DIODE管三者并联，可以发挥三者的优点而避开三者的缺点，可以明显降低器件损耗，提高变换器的效率。此外，本电路复合器件适用范围广泛，可以使用于现在Si IGBT或者SiC MOSFET器件成熟使用的场合，例如BUCK、BOOST、APFC、INVERTER、DC/DC变换器等电能变换器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 功率 半导体 组合 器件 | ||
【主权项】：
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