[发明专利]一种促进稀土镁锂合金中孤岛状β1有效

专利信息
申请号: 202010931549.8 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN112195421B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 于子健;杜文博;刘轲;李淑波;王朝辉;杜宪;赵晨辰 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C22F1/02 分类号: C22F1/02;C22F1/06;C22C23/06;C21D9/00;B21C23/00;B21C29/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种促进稀土镁锂合金中孤岛状β1纳米相析出的方法,属于金属材料技术领域。在含有孤岛状β1纳米相的变形稀土镁锂合金中添加0wt%~2wt%的Ag元素。最终变形稀土镁锂合金成分包括Mg,Gd,Y,Zn,Ag,Li元素,合金基体由α‑Mg组成,在α‑Mg基体内存在大量密集且离散分布的纳米尺度孤岛状β1析出相。上述镁锂合金的制备工艺包括:将镁锂合金在熔盐和惰性气氛的保护下浇铸,经固溶处理后,挤压成型,得到稀土镁锂合金。通过简单地添加Ag元素并调控其含量就可以显著促进孤岛状β1纳米相析出,增加其数量,同时抑制对韧性不利的块状镁稀土相的形成,减少裂纹源,以此改善镁锂合金力学性能。
搜索关键词: 一种 促进 稀土 合金 孤岛 base sub
【主权项】:
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