[发明专利]一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成一盲孔；在上层盲孔内沉积有二维2H‑MoSe2材料，在下层盲孔内沉积有二维1T‑WS2材料，两种材料与单晶硅衬底形成2H‑MoSe2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上层二维2H‑MoSe2材料和下层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有在紫外和近红外双波段的窄带响应，且响应速度快、易集成。