[发明专利]单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶在审
| 申请号： | 202010931816.1 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112048760A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张军安 | 申请（专利权）人： | 宁波晶钻工业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20 |
| 代理公司： | 宁波聚禾专利代理事务所(普通合伙) 33336 | 代理人： | 糜婧 |
| 地址： | 315000 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶。其中，单晶金刚石同质外延生长方法，包括以下步骤：S1.提供一单晶金刚石的片状籽晶，片状籽晶具有进行生长的顶面、与顶面相对的底面以及位于顶面与底面之间的侧面，侧面从底面到顶面向内倾斜地延伸；S2.将片状籽晶顶面朝上地设置在气相合成设备的基台上，然后采用气相合成法在片状籽晶上进行同质外延生长。本申请采用侧面为倾斜面的片状籽晶进行外延生长，使得外延生长较为容易，且生长时不易产生多晶，此外，由于生长后得到的单晶金刚石的侧面仍为倾斜面，因此可以在一次外延生长后再进行多次外延生长，从而获得较大尺寸的单晶金刚石。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 外延 生长 方法 及其 片状 籽晶 | ||
【主权项】：
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