[发明专利]带铁电或负电容器的半导体器件及其制造方法及电子设备在审
| 申请号： | 202010932030.1 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112018185A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;黄伟兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/11507 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种带有铁电/负电容器的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上形成的栅电极以及源/漏极；在衬底上形成的正电容器，正电容器的第一端子电连接至栅电极；在衬底上形成的铁电或负电容器，铁电或负电容器的第一端子电连接至栅电极，其中，正电容器和铁电或负电容器中的一个电容器的第二端子电连接至栅电压施加端子，且正电容器和铁电或负电容器中的另一个电容器的第二端子电连接至源/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 带铁电 负电 容器 半导体器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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