[发明专利]磁性随机存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010932208.2 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111933791A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 申力杰;张栋山 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性随机存储器件及其制造方法。该器件包括：形成有底电极的衬底、位于底电极上方的磁性隧道结单元、位于磁性隧道结单元上方的金属硬掩膜、第一电介质层、第二电介质层以及顶电极，第一电介质层的竖直部分覆盖于磁性隧道结单元及金属硬掩膜的侧壁，第一电介质层的水平部分覆盖于底电极上表面，第二电介质层位于第一电介质层的水平部分上方并围绕第一电介质层的竖直部分，顶电极覆盖于金属硬掩膜的上表面。本发明能够解决在高密度MRAM的MTJ单元制备时与顶电极互联的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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