[发明专利]一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管在审
| 申请号： | 202010932387.X | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112242465A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 郑畅达;付汝起;张建立;王小兰;高江东;李丹;袁旭 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管，依次包括基板，设置于基板之上的n型层，产生六棱锥凹坑构造的准备层，含有六棱锥凹坑的单量子阱或多量子阱结构的发光层和p型层。所述p型层完全填充产生于准备层并贯穿发光层的六棱锥凹坑，同时高于发光层平面之上的厚度介于0nm‑‑30nm之间。此结构既能实现空穴经由六棱锥凹坑侧壁高效率地注入至发光层，同时可有效减少p型层对发光层发出的光的吸收，并减少p型层侧面的出光，从而提升氮化物发光二极管的电光转换效率和正面出光比例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 增强 氮化物 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
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